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我們(men) 的項目

非破壞性分析

電性檢測

失效點定位

破壞性物理分析

物理分析

工程樣品封裝服務

競爭(zheng) 力分析

半導體(ti) 組建參數分析

電特性測試

點陣信號量測

靜電放電/過度電性應力/閂鎖試驗

· 項目描述

利用SMU(Source measurement unit)供應電壓或電流，驗證與(yu) 量測半導體(ti) 組件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲線等)。如電容-電壓特性曲線、電壓-電流(IV)、電阻、電容、電感值量測或信號波形等，藉此了解組件的故障行為(wei) ，以利後續的分析動作。

· 檢測內容

（1）CMOS 晶體(ti) 管 Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容和 QSCV（2）雙極晶體(ti) 管 Ic-Vc、二極管、Gummel 曲線圖、擊穿和電容等（3）分立器件 Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二極管等（4）內(nei) 存 Vth、電容、耐久性測試（5）功率器件脈衝(chong) Id-Vg、脈衝(chong) Id-Vd、擊穿（6）納米器件電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc（7）可靠性測試 NBTI/PBTI、電荷泵、電遷移、熱載流子注入、斜坡電流（J-Ramp）、TDDB 等

· 應用領域

晶體(ti) 管、分立器件、功率器件、納米器件

· 檢測設備